专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种超导量子比特芯片制备方法及设备-CN202210402228.8在审
  • 齐在栋;王辉 - 浪潮集团有限公司
  • 2022-04-18 - 2022-07-05 - G06F30/3953
  • 本申请实施例公开了一种超导量子比特芯片制备方法及设备。包括,获取待制备的超导量子比特芯片的尺寸与引脚位置信息,以及获取待制备的超导量子比特芯片所需的不同部件的参考尺寸;其中,不同部件用于实现待制备的超导量子比特芯片的不同功能;基于待制备的超导量子比特芯片的尺寸与引脚位置信息,以及待制备的超导量子比特芯片所需的不同部件的参考尺寸,确定出不同部件分别对应的参考数据;基于参考数据与预置电磁仿真软件,对参考数据进行校验,以得到不同部件分别对应的实际数据;基于实际数据对待制备的超导量子比特芯片进行多比特芯片布线,以实现超导量子比特芯片制备。通过上述方法,提高了芯片制备效率。
  • 一种超导量子比特芯片制备方法设备
  • [发明专利]芯片电极的制备方法及制备装置-CN201911071818.1在审
  • 王鑫;谭振;祁娇娇;宁提;周立庆 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
  • 2019-11-05 - 2020-03-24 - H01L31/18
  • 本发明提出了一种芯片电极的制备方法及制备装置,制备方法包括:将芯片放置于真空腔室内进行金属化沉积以形成芯片的电极;对形成电极的芯片进行加热,达到第一预设温度后维持预设时间;在真空腔室内,对芯片进行降温,使芯片降温至第二预设温度,以完成芯片电极的制备。根据本发明的芯片电极的制备方法,通过电极制备完成后直接在真空腔室内进行原位退火的方法,有效减小了芯片在电极制备完成后到电极退火之间可能产生的损伤,有效降低了电极的接触电阻,提高了电极与半导体之间的欧姆接触的效果,提升了芯片的性能。
  • 芯片电极制备方法装置
  • [发明专利]一种发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片-CN202310780739.8在审
  • 周智斌;汪延明;何强 - 湘能华磊光电股份有限公司
  • 2023-06-29 - 2023-08-15 - H01L33/00
  • 本发明提供了一种发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片,其制备方法包括:制备发光二极管外延片;制备透明扩展层;制备反射绝缘层:在透明扩展层的芯片表面沉积一层反射绝缘层;制备整体芯片;将整体芯片进行切割;将每颗发光二极管芯片翻转至高温膜;制备绝缘包覆层。本发明所提供的发光二极管芯片制备方法,其具有工艺简洁(只需要进行两次黄光光刻即可完成)且能够有效提升芯片的稳定性和可靠性、有利于产业化制备的特点。本发明最大的特色在于不需要经过深刻蚀就可以实现倒装芯片制备,采用的是在芯片分开后通过镀膜实现绝缘。
  • 一种发光二极管芯片制备方法
  • [发明专利]芯片白光LED及其制备方法-CN201010558443.4有效
  • 苏建;夏伟;张秋霞;任忠祥;徐现刚 - 山东华光光电子有限公司
  • 2010-11-25 - 2012-05-23 - H01L25/075
  • 本发明提供了一种单芯片白光LED及其制备方法。该单芯片白光LED包括红光LED芯片、蓝光LED芯片和绿光LED芯片,其制备方法,包括以下步骤:(1)制备出蓝光LED芯片结构;(2)制备出红光LED芯片结构;(3)制备出绿光LED芯片结构;(4)将红光LED外延层与蓝光LED外延层相对粘结在一起;(5)去除蓝光LED芯片衬底;(6)将绿光LED外延层与蓝光LED外延层的底部相对粘结在一起;(7)去除红光LED芯片的GaAs衬底;(8)在红光LED外延层上制备出P电极;(9)在绿光LED芯片的衬底底部制备出N电极,得到垂直结构的单芯片白光LED。本发明只需单一芯片即可发出白光,具有使用寿命长、稳定性好、体积小、高发光效率等优点。
  • 芯片白光led及其制备方法
  • [发明专利]芯片制备方法及芯片-CN202210587397.3在审
  • 赵云飞 - 西安闻泰信息技术有限公司
  • 2022-05-25 - 2022-08-23 - H01L21/56
  • 本发明公开了一种芯片制备方法及芯片,该制备方法是提供基底和芯片组件,该芯片组件包括衬底和设于衬底上的至少一个芯片,接着在基底的表面上形成胶层,然后将芯片组件从插入胶层内,使得芯片嵌入胶层,以及使得衬底上设有芯片的表面粘接在胶层上,由于胶层对衬底的粘接力能够使得衬底上设有芯片的表面趋于平整,从而改善芯片组件翘曲的问题,最后将芯片组件剥离胶层。由于采用本发明提供的芯片制备方法无需破坏芯片组件的结构即可改善芯片组件翘曲的问题,且该制备方法步骤简单,有利于降低芯片的生产成本。
  • 芯片制备方法

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